初めて電子工作をされる方はまず部品の名称や回路記号(図記号,シンボル)などがわからないため、実際の物と図面(回路図・部品表)が一致しないで苦労するようです。　このwebでは部品の外観と名称のみですので技術的な解説は書籍「電子部品図鑑」を参照ください。　このページは全体的な事と増幅や発振、検波などの働きを行う部品(能動部品)についてです。　ただし集積回路(IC)については別ページにしてあります。　

2005-06-02 新規作成, 2009-04-18 更新

通信販売で買える部品のうちベスト400を選んで紹介していく本です。ページ数の半分をカラーとして大きな部品の写真を掲載、 1つ1つの部品をクローズアップしていき、雑学的に解説をしているので専門書に抵抗のある方でも読んでいただけると思います。受動部品だけでなく、IC、ディスクリート半導体、機構部品、消耗品などをバランスよく紹介、文章は全面的に書き直し、技術的な解説を充実。　

部品の向きと取り付け方法

部品を取り付ける際に向きに注意しなければならない部品や基板からうかして取り付けなければならない部品は以下の通りです。　 (チップ部品については浮かして取り付けることはありません。)

分類	名称	取り付け方法
半導体	IC	★
	トランジスタ	★～
	ダイオード	★
抵抗	1/2W以下	ー
	1W以上	ー～
	集積抵抗	▲
	ボリューム	★
コンデンサ	電解コンデンサ	★▲△
	タンタルコンデンサ	★
	フィルムコンデンサ	ー
	セラミックコンデンサ	ー
	半固定コンデンサ	▲
コイル		ー
トランス		★
スイッチ		★
コネクタ		▲
リレー		★
センサ	CDS	ー△
	フォトトランジスタ	★～
	フォトトダイオード	★～
	サーミスタ	ー～
ランプ	白熱電球	ー×
	LED	★～

★ 極性のある部品
▲ ものによっては極性がある部品
ー極性の無い部品
～浮かして取り付けなければならない部品
△ ものによっては浮かさなければならない
× プリント基板には実装しない(パネルなどに取り付け)

半田付けの基礎はこちらを参考にしてください。

電子部品図鑑 (ディスクリート編)

トランジスタ

接合部構造による分類

まず　動作原理、内部構造による分類を示す。　

バイポーラトランジスタ
a) NPN バイポーラトランジスタ
b) PNP バイポーラトランジスタ
接合型FET
a) Nチャンネル接合型FET
b) Pチャンネル接合型FET
MOS-FET
a) Nチャンネル MOS-FET
b) Pチャンネル MOS-FET
UJT (ユニジャンクショントランジスタ)
SCR (サイリスタ), PUT
トライアック

[電極の呼び方] B:ベース、C:コレクタ、E:エミッタ、D:ドレイン、S:ソース、G:ゲート、A:アノード、K:カソード
[回路図を書く際の注意] サイリスタやトライアックの図記号について、JIS定義ではゲートの配線がAまたはKの配線と接触していないことに注目。　 PNPトランジスタ、NチャンネルJFETの矢印の先がベースを表す線と接していないことに注目。　半導体はパッケージを表す丸を外側に付ける場合があるが、パッケージを表す丸は省略しても良い。　 (トランジスタには丸を付けて、ダイオードには丸を付けないのは単なる慣例に過ぎない。)　 2個以上の素子が1つのパッケージに入っている場合は、どれとどれが同じパッケージにあるか解るように、パッケージを表示するのが望ましい。　 JIS定義において、トライアック、サイリスタの中を黒く塗りつぶさない。　

* 本来　半導体は導体と絶縁体との中間的な電気抵抗を持つ物質であるが、トランジスタ、ダイオード、ICを総称して半導体と言うこともある。　

* 破線の内側は古い図記号、または慣例で使用されている図記号

小信号用・トランジスタ極性

電極の配列は品種により異なるのでデータシートで確認すること。　

バイポーラトランジスタの電極　Bはベース、Cはコレクタ、Eはエミッタと呼ぶ。　

トランジスタ回路記号

パワートランジスタ・極性

電極の配列は品種により異なるのでデータシートで確認すること。　

FETの電極　Gはゲート、Dはドレイン、Sはソースと呼ぶ。　

トランジスタの選び方(絶対最大定格/電気的特性)

トランジスタの性能を表すパラメータとして最も注目すべきはスピードを表すf_Tとパワーを表すP_C(アナログ的に使う場合)。　両対数グラフに、f_Tを縦軸、P_Cを横軸にプロットするとトランジスタを選ぶ際に有用。　左の図は「2SCタイプ/メーカーは東芝/秋葉原で入手しやすい」の条件で選択したトランジスタをプロットした。　 (グラフは作成中)
スイッチングとして使用する場合はV_CBOとI_Cが重要なパラメータ。
⇒トランジスタのデータシートはメーカーのwebサイトを参照
主なパラメータについて簡単に説明する。　

[P_C:コレクタ損失]コレクタで消費できる電力の最大値。　トランジスタのパワーを表す。小信号トランジスタではta=25℃、パワートランジスタではtc=25℃の条件で表記されることが多い。ta=25℃とは周囲温度(トランジスタ近傍の空気の温度)が25℃と言う意味。tc=25℃とは無限大のヒートシンクをつけてトランジスタのパッケージ温度が25℃という意味。

[f_T:トランジション周波数]トランジスタは周波数が高くなるとhfeが低下するが、hfe=1となる周波数のこと。　トランジスタのスピードを表す。

[h_FE:直流電流増幅率]I_CをI_Bで割った値。　トランジスタの本質は電流を増幅することなので「生きの良さ」と呼べるかもしれない。　大文字を使用した時は直流での値、小文字を使用した時は交流での値を表す。

[V_CBO:コレクタ・ベース間電圧]エミッタ未接続の条件で、コレクタとベースの間に印加することのできる電圧。　大抵はコレクタを出力として使用するので出力できる電圧の目安となる。

[I_C:コレクタ電流]コレクタに流すことのできる電流の最大値。　大抵はコレクタを出力として使用するので出力できる電流の目安となる。

FETの選び方(絶対最大定格/電気的特性)

スイッチング用のパワーFETはV_DSSとI_Dが重要なので、V_DSSを縦軸、I_Dを横軸とし、両対数グラフにプロットするとFETを選ぶ際に有用。　 (グラフは作成中)
主なパラメータについて簡単に説明する。　

[P_D:許容損失]FETで消費できる電力の最大値。　FETのパワーを表す。小信号FETではta=25℃、パワーFETではtc=25℃の条件で表記されることが多い。ta=25℃とは周囲温度(トランジスタ近傍の空気の温度)が25℃と言う意味。tc=25℃とは無限大のヒートシンクをつけてトランジスタのパッケージ温度が25℃という意味。

[gm:相互コンダクタンス]I_Dの変化をV_Gの変化で割った値。　どのぐらい増幅する能力があるかの目安になる。　

[V_DSS/V_DSX/V_DSR:ドレイン・ソース間電圧]ドレインとソースの間に印加することのできる電圧。　大抵はドレインを出力として使用するので出力できる電圧の目安となる。　 V_DSSはゲートとソースをショート、V_DSXはゲート・ソース間にあるバイアスをかける、V_DSRはゲート・ソース間にある抵抗を接続している。　

[I_D:ドレイン電流]ドレインに流すことのできる電流の最大値。　大抵はドレインを出力として使用するので出力できる電流の目安となる。パワーFETでは放熱条件で制限を受ける時がある。(ドレイン・ソース間の抵抗による発熱でPdを超えてしまう。)

バイポーラ・トランジスタ

左の2つ: PNPトランジスタ、右の3つ: NPNトランジスタ

PNP型トランジスタ (PNP Transistor)

{TSH}　2SA1015-GR(F)　\13

{ZTX}　ZTX751　\139

NPN型トランジスタ (NPN Transistor)

{TSH}　2SC1815-GR(F)　\15

{ZTX}　ZTX614　\83

{ZTX}　ZTX450　\78

主に増幅・発振・スイッチングの機能を持つ電子部品。　大抵は3本の端子を持ち小さなシリコンチップをプラスチックのパッケージに格納している。　トランジスタという名前は3本足から来ているが中には4本足のトランジスタもある。　現在はIC化された回路が多いので大半はICの中の構成要素となっている。　 1個または2個のトランジスタ,ダイオードをパッケージに格納した部品をディスクリートという言い方をする。　

用途

30年ぐらい前は真空管という素子が使用されていた。　その後小型化、長寿命、消費電力の削減のためにトランジスタに置き換わっていった。　回路のほとんどの機能はLSIの中に内蔵されていったが下記の場合に単品のトランジスタ(ディスクリート)を使用する。　 ①特に大きな電力または電圧、電流を制御しなければならない部分　 ②超高周波用途、LSIでは機能の実現が難しい場合　 ③標準的なLSIでは足りなくて少しだけ機能を追加したい場合　

高周波トランジスタ(VHF/UHF Transistor)

{FCS}　MPSH10　{D}　\38　(650MHz　0.7pF/写真なし)

{RT}　2SC1907　{M}　\42　(900MHz　2pF)

高周波用のトランジスタはfTが高く、Cobの小さいものが必要。

高周波回路やデジタル回路のリンギングなどの波形測定をする際、オシロスコープの入力容量の影響を受けることがある。発振回路の周波数はわずかな静電容量の影響を受ける。デジタル回路のリンギングは配線のインダクタンスとICの入力容量によってできる共振現象であるのでわずかな静電容量の変化で波形が変わる。教科書的な説明をすると、「FETプローブを使い、プローブのGNDをできるだけ短く、測定対象ICの近くでとれ」と言うことになるが、FETプローブを持っていない方も多いと思う。そんな時はCobの小さなトランジスタをエミッタホロワにして、それを介してプローブに接続をすると正しい波形観測ができる。ただし直流的には0.6Vシフトすること、極端にインピーダンスの高い場所には使用できないことに注意。 MPSH10はTO-92パッケージで実験の時に使いやすく、極めてCobが小さいのでこの目的に適する。

中電力トランジスタ

{TSH}　2SA966-Y(F)　{R}　\27　(0.9W, 30V, 1.5A)

{TSH}　2SC2236-Y(F)　{M}　\42　(0.9W, 30V, 1.5A)

{TSH}　2SC2229-Y　{M}　\52　(0.8W, 200V, 50mA)

小信号用トランジスタ(TO-92)ではパワーが不足するが、ヒートシンクをつけるほどではない時、 TO-92を縦に長くしたようなパッケージ(TO-92MOD)が便利。　 2SC2236と2SA966はコンプリ。　2SC2229は高電圧が必要な回路に。

チップ・トランジスタ(Chip Transistor)

{ON}　MMBT4401LT1G　\19

最近の電子機器は小型化、高機能化が要求されるのでこのような面実装品を使う機会が多い。　

パワートランジスタのパッケージ

いろいろなパッケージに収納されたパワートランジスタ。　ヒートシンクとの熱抵抗が少なくなるように工夫されている。　
外観はいろいろでも基本的な動作は皆同じ。　それに対してICは同じパッケージに収納されていても機能はまったく異なる。　

シリコーン・ラバー、マイカ板

パワー・トランジスタをヒートシンクに取り付けるために使用される絶縁板(またはワッシャ)　マイカ板を使用する際には熱伝導を良くするため両面にシリコーン・グリスを塗ること。　シリコーン・ラバーにシリコーン・グリスは不要。
⇒ヒートシンクは機構部品を参照

FET(電界効果トランジスタ)

接合型FET (Junction Field Effect Transistor)

{TSH}　2SK30ATM-Y　{S}　\30　(写真左)

{RT}　2SK435D　{M}　\94　(写真右)

接合型FETは、ゲートがPN接合でできているFET。　JFETとも呼ばれる。　

FETはバイポーラトランジスタと同じく、増幅、発振、スイッチングの働きをするが動作原理はまったくことなる。　

2SK30ATMはコストが重視されるAF用途。2SK435はもう少しドレイン電流が必要な時、AF/RF(AMラジオぐらいの周波数)用途。

パワーFET (Power MOS FET)

電力のスイッチングは従来バイポーラトランジスタを使用する場合が多かったが、　最近は高速なMOS-FETを使用することが多い。　

MOS-FETとはゲートが絶縁されているFETのこと。　ゲートに電圧をかけるとドレイン電流が減少するデプレッション型とゲートに電圧をかけるとドレイン電流が増加するエンハンスメント型がある。　

高周波用MOS型FET (Radio Frequency MOSFET)

高周波用のMOS-FETはリードのインダクタンスを小さくするためにこのような特殊なパッケージに格納されている。　

特殊なトランジスタ

SCR(サイリスタ)は大電力のON/OFFを制御する素子。　最近はパワーFETの性能が向上したため数Aクラスの制御にはもっぱらそれが使用される。　数十A以上の大電流にはSCRやIGBTが使用される。　

SCRは直流しか制御できないが交流の制御ができるようにした素子としてトライアックがあり、トライアックのトリガ用素子としてダイアック,SSS(シリコン・シンメトリカル・スイッチ)がある。　

注) ダイアック,SSSは2端子なのでダイオードの仲間。　
サイリスタ、トライアック

サイリスタ/SCR (Thyristor)、トライアック (Triac)、PUT(Programmable Unijunction Transistor)

{ON}　2N6028RLRAG　\46

{NEC}　5P4M　{M}　\252　(400V IT(AV)=5A)

{NEC}　2P4M　{M}　\136　(400V IT(AV)=2A)

左の2つがトライアック、右がPUT

サイリスタ、トライアックのパッケージはパワートランジスタと同様のものが使用される。

PUT(プログラマブル・ジャンクション・トランジスタ)はSCRのゲートに加えるパルスを生成するために使用される素子。　

ダイオード

ダイオードの極性

ほとんどの場合、帯がある方がカソード(K)。　反対側がアノード(A)。　極性があるので実装時に注意。　昔、物によってはA側に帯があるものが存在したらしい。　念のために帯がKかどうかはデータシートで品種ごとに確認する事。　

ダイオードの用途

電源の整流、検波、スイッチングなどの用途に使用する。　

30年ぐらい前は2極管(真空管)という素子が使用されていた。　 ICが普及したため使用される用途は限定される。　ディスクリートのダイオードが使用されるのはトランジスタの場合とほぼ同じ。

一般整流ダイオード

シリコン・ダイオード (Silicon Rectifier)

ダイオードとは2本足の半導体の総称。　半導体のチップをガラスまたはプラスチックでモールドしている。　電源の整流、検波、スイッチングなどさまざま機能を持つ品種がある。　
単にダイオードと言った場合にはシリコンダイオードをさす場合が多い。　耐圧など帯の色で区別している場合が多い。　

ダイオードは細いので型番が印字してないか省略された形で印字されている。　バラ(1個買い)で購入した場合は袋に型番を記入しておく事。　

ショットキ・バリア・ダイオード (Schottky Barrier Rectifier)

{NI}　11EQS04G　\32

通常のシリコンダイオードよりも順方向電圧が小さい特徴を持つダイオード。　電源に使用した場合には順方向電圧が小さいので損失が少なく、発熱が少ない。　電源整流用と小信号用がある。　小信号用として使用した場合には微小電圧の検波が可能であり、ゲルマニュームダイオードの代用として使用される。　

単にショットキー・ダイオードと呼ばれる場合もある。　
ゲルマニューム・ダイオード

ゲルマニウム・ダイオード (Germanium Rectifier)

{ユニゾン}　1K60　{M}　\52

順電圧の小さなダイオード。小信号の検波(AM検波)に使われる。　昔なつかしい、ゲルマラジオの語源となっている。ガラスのパッケージの中にS字形の針金が入っているのを見てほしい。　これが昔のダイオード、点接触型と言われるタイプ。 1K60は現在でも入手可能である。
ダイオードブリッジ

ブリッジ・ダイオード (Bridge Rectifier)

{DI}　W02G　\71

{SEM}　S10VB60　\600

{VSH}　KBL04　\156

電源整流用などは4個を組みにして使用する場合が多いので4個を1つのパッケージ格納したもの。　ダイオード・ブリッジとも呼ばれる。　

特別な働きをするダイオード

ツェナーダイオード (Zener Diode)

{NEC}　RD12E-B1　\15

{NEC}　RD15E-B1　\32

逆方向に電圧をかけていくとある特定の電圧で急に電流が増加する性質を持つダイオード。　定電圧ダイオードとも呼ばれる。　電源回路などの電圧の安定化に使用。　

ツェナーダイオード (Zener Diode)

{RT}　HZ5B1-E　{S}　\20

ツェナーダイオードはどれでも同じと思っている方が多いと思うが、品種により動作抵抗がかなり違う。ツェナーダイオードは動作抵抗が小さい方が電圧安定度の点で有利。
*ダイオードで-Eが付くものは鉛フリー

バリスタ(Varistor)/サージアブソーバ

{PA}　ERZ-V05D241　\31

バリスタとは端子に印加する電圧を少しずつ上げていくとある電圧で急に抵抗値が低下する部品。　ツェナー・ダイオードは極性があるものが一般的であるがバリスタは極性なしのものが一般的。　電源ラインから入るノイズを抑制する目的で使用。　
1SV149,1SV101

可変容量ダイオード (Variable Capacitance Diode)

{TSH}　1SV149-B　{S}　\50　(AMラジオ用/30～435pF/写真左)

{TSH}　1SV101　{S}　\40　(FMラジオ用/14～28pF/写真右)

逆方向に電圧をかけると電圧の変化で静電容量が変化する性質を持つダイオード。　バリコン、トリマーコンデンサの代わりに使用される。　バリキャップ、バラクタ・ダイオードとも呼ばれる。　
[写真準備中]

PINダイオード

{SAY}　1SV250　{R}　\21　(UHF/1素子)

{SAY}　1SV251　{R}　\21　(UHF/2素子)

高周波信号の切り替え、減衰器として使用するダイオード。低い周波数では整流作用を持つが、高周波では順電流によって抵抗値の変化する可変抵抗器として働く。

モジュール

スイッチング方式ACアダプタ　(Switching Adapter)

{AKD}　DR-523S　\1500

リニア方式ACアダプタ　(Linear Adapter)

商用電源(AC 100V/200V)を電圧の低い直流電圧に変換する。　従来はトランスを使用した大型で重いものであったが最近はスイッチングを利用した小型のものが主流。　

スイッチング電源　(Switching Power Supply)

商用電源(AC100V)から安定化された低い直流電圧を生成するモジュール。　金属ケースに格納されたものとケースなしのものがある。　写真はケースなしの安価なタイプ。　
コイル内蔵スイッチングレギュレータ

コイル一体型スイッチングレギュレータ

{サンケン}　SI-8401L　{M}　\514

入力:DC7～33V/出力:DC5V/出力電流:0.5A

{ユタカ電機}　YDS-205　{A}　\200

入力:DC10～40V/出力:DC5V/出力電流:2A

コンデンサ2個外付けでDC-DCコンバータとして利用可能。　
リニアレギュレータは入力と出力の電位差が大きい時には効率が悪く、発熱してしまう。　そのため、巨大なヒートシンクが必要になったり、出力電流が制限を受ける。　そんな時にはスイッチング方式が望ましいが、部品点数が多くなりがち。　この部品はコイル、ヒートシンクなどを一体とし、リニアレギュレータと同様な使い勝手を実現している。

*0.4/0.5Aタイプ: 12V用はSI-8402L、3.3V用はSI-8403L

*1Aタイプ: 5V用はSI-8501、12V用はSI-8502L、3.3V用はSI-8503L

⇒レギュレータ(IC編)

グラフィックLCD　(Graphic LCD Module)

キャラクタLCD　(Character LCD Module)

{SDT}　SC2004AS*B-SO-G　\1500

電子機器の状態、メッセージなど、英数字を表示するモジュール。　生産数量が多い場合はカスタム品を使用する。　組み込み、産業用などは写真のテキスト表示タイプを良く使用する。　

デジタル・パネルメータ

{中国製}　PM-129B　{A}　\1000　(M-00807)

入力電圧をA-D変換し、7セグメントLEDに数字表示をするモジュール。

[デジタル・パネルメータの選び方] 他の回路と組み合わせて使用するのであれば電源のマイナスと入力のコモンが共通にできる方が使いやすい。　消費電流が少ないことが必要であればLCD、見やすい方ならばLEDを選択すると良い。　機種によりいくつかのレンジを持つタイプもあるが、200mVのタイプで分圧器を追加して任意のフルスケールにしても良い。

[PM-129B仕様] フルスケール:200mV／精度:0.5%／電源電圧:5V／消費電流:~~60mA?~~ 120mA／入力インピーダンス:100MΩ以上／表示:0.56インチの7セグメントLED／少数点表示:ジャンパーにより設定可能／表示分解能:最大1999(3.5桁)_極性表示あり／表示更新周期:毎秒2～3回／入力電圧のコモンと電源のマイナスは共にGNDとするが配線はアナログGNDとデジタルGNDに分けること／付属品:ワッシャ、ナット、ベゼル、説明書

[実測データ] W:70.4(本体は68.2), D:27.6 , H:44.5 @全ての突起を含む。実測なので多少誤差があります。消費電流:110～120mA　(付属の説明書に60mAと書いてあったが誤りと思われる)

*取り付け方法はベゼルと本体の間にフロントパネルをはさみこむ。
デジタル・パネルメータ

PM-129Bの電源電流

PM-129Bの電源電流は右の波形のように大きく変動します。　 (電源ラインに1Ωの抵抗を入れ20mVレンジで測定)　レギュレータの電流容量は余裕をもっておくこと。　

[アドバイス] LEDの電流が120mA程度あるので、この電圧降下が0.1mVオーダで動作しているアナログ回路に影響し、ふらつきとなることがある。　 DPM(デジタルパネルメータ)内のGND配線抵抗による電圧降下が4mVぐらい発生しており厳密にはDPM(デジタルパネルメータ)端子の電源用GND、信号用GNDは同じ電圧ではない。　

GNDラインの引き回しはアナロググランド(AGND)とデジタルグランド(DGND)でわけて配線し、DPM(デジタルパネルメータ)内で接続する方法がよさそう。　メイン基板のAGNDとDPMの信号用GNDの間に電流計を接続して、 1mA以下であればOK。　メイン基板上ではAGNDとDGNDは接続せず、電源のGNDはDGND側に接続すること。　 LCDタイプの方が消費電流が少ないのでGNDの引き回しによるトラブルは少ないかもしれない。　

背面にある半固定抵抗器はフルスケール調整。入力に199.9mVを入力した時に指示値が1999になるように調整する。

フルスケール調整用半固定は調整範囲が広すぎるようだ。　調整範囲が広すぎると調整しづらいだけでなく、振動で調整がずれてしまう可能性がある。　私は購入時に実装されている5kΩ半固定を外して、2kΩ_2個と1kΩ半固定を代わりに実装してから使用している。　購入時に実装されている半固定はローターが固いので、調整のしやすいものに交換した方が良いかも　 (半固定を多回転タイプ3296Wに交換する方法もある。)　

IrDAモジュール　(Infrared Transceiver Module)

{SHP}　GP2W0110YPS　\263

赤外線で双方向に通信するためのモジュール。フォト・ダイオードと赤外線LEDが入っている。

ノイズ・フィルタ

{TDK}　ZGB2203-01U　\670

ACラインから浸入するノイズを除去するためのフィルタ。主にマイコンが暴走するのを防ぐ目的で使用される。
数字表示器(7セグメントLED)

LED数字表示器　(Seven-Segment LED Display)

{LON}　LTS-4802BJR-H1　\95

7つのLEDを組み合わせることで1桁の数字を表示する部品。セブン・セグメントとも呼ばれる。　写真は1桁の数字を表示するものであるが、2～3桁分がつながったタイプもある。
数字表示器(7セグメントLED)

LED数字表示器　(Seven-Segment LED Display)

⇒ローム

目次

電子部品図鑑 (ディスクリート編)

接合部構造による分類

用途

高周波トランジスタ(VHF/UHF Transistor)

中電力トランジスタ

チップ・トランジスタ(Chip Transistor)

パワートランジスタのパッケージ

シリコーン・ラバー、マイカ板

接合型FET (Junction Field Effect Transistor)

パワーFET (Power MOS FET)

高周波用MOS型FET (Radio Frequency MOSFET)

分類

ダイオードの極性

ダイオードの用途

一般整流ダイオード

ショットキ・バリア・ダイオード (Schottky Barrier Rectifier)

ゲルマニウム・ダイオード (Germanium Rectifier)

ブリッジ・ダイオード (Bridge Rectifier)

特別な働きをするダイオード

ツェナーダイオード (Zener Diode)

ツェナーダイオード (Zener Diode)

可変容量ダイオード (Variable Capacitance Diode)

PINダイオード

スイッチング方式ACアダプタ (Switching Adapter)

リニア方式ACアダプタ (Linear Adapter)

スイッチング電源 (Switching Power Supply)

コイル一体型スイッチングレギュレータ

グラフィックLCD (Graphic LCD Module)

キャラクタLCD (Character LCD Module)

IrDAモジュール (Infrared Transceiver Module)

ノイズ・フィルタ

LED数字表示器 (Seven-Segment LED Display)

LED数字表示器 (Seven-Segment LED Display)

スイッチング方式ACアダプタ　(Switching Adapter)

リニア方式ACアダプタ　(Linear Adapter)

スイッチング電源　(Switching Power Supply)

グラフィックLCD　(Graphic LCD Module)

キャラクタLCD　(Character LCD Module)

IrDAモジュール　(Infrared Transceiver Module)

LED数字表示器　(Seven-Segment LED Display)

LED数字表示器　(Seven-Segment LED Display)