メモリでは、メモリセルと呼ばれる単位が0か1を記憶しますが、これを1bitといいます。8bitで
半角文字一つを記憶でき、この単位を1B（バイト）といいます。したがって、メモリセルが、例えば、
800万個集まっているメモリの記憶容量は、8Mbits = 1MBで、半角文字で100万文字分の記憶が
できます。Mはメガと読み、100万を表します。

　DRAMでは、1個のメモリセルはコンデンサとトランジスタ１つずつで構成されており、コンデンサに
電荷が溜まっているかどうかで1か、0かが決まります。

　このコンデンサの電荷は、そのままにしておくと自然に放電してデータがなくなってしまうので、
放電し切らないうちにコンデンサを再充電します。この再充電することをリフレッシュといいます。
このリフレッシュは一定のサイクルで行われますが、リフレッシュ中はデータの読み書きは
できません。つまり、DRAMの記録速度が遅い原因の一つがリフレッシュサイクルなのです。

　DRAMのいい点は、同じような製造技術では、SRAMの約4倍の記憶密度のものを作れることで、
また、それだけコストもDRAMのほうが安いことです。